VS-8EWL06FNTR-M3 -teknologiavaatimukset
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWL06FNTR-M3 Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWL06FNTR-M3
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 1.05 V @ 8 A | |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | |
| teknologia | Standard | |
| Toimittaja Device Package | D-PAK (TO-252AA) | |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| Sarja | FRED Pt® | |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 170 ns |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Paketti | Tape & Reel (TR) | |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 175°C | |
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 8A | |
| Kapasitanssi @ Vr, F | - | |
| Perustuotteenumero | 8EWL06 |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWL06FNTR-M3.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | VS-8EWL06FNTR-M3 | VS-8EWL06FN-M3 | VS-8EWS08STRL-M3 | VS-8EWS10STRL-M3 |
| Valmistaja | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Toimittaja Device Package | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 1.05 V @ 8 A | 1.05 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A |
| Perustuotteenumero | 8EWL06 | 8EWL06 | 8EWS08 | 8EWS10 |
| Kapasitanssi @ Vr, F | - | - | - | - |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 50 µA @ 800 V | 50 µA @ 1000 V |
| teknologia | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 170 ns | 170 ns | - | - |
| Sarja | FRED Pt® | FRED Pt® | - | - |
| Paketti | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | 600 V | 800 V | 1000 V |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Lataa VS-8EWL06FNTR-M3 PDF -lehdet ja Vishay General Semiconductor - Diodes Division -dokumentaatio VS-8EWL06FNTR-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division: lle.
VS-8EWL06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWS08STRL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWS10STRL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 8A DPAKVS-8EWH02FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO252VS-8EWH06FNTRLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVS-8EWS12S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAKVS-8EWH06FNHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO252VS-8EWH06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWS08S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A DPAKVS-8EWF12STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAKVS-8EWS12SPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252VS-8EWS12SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAKVS-8EWF12S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252VS-8EWS08STRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWH06FNTR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWS08STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWS08STR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWF10S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.