RS1BL RVG -teknologiavaatimukset
TSC (Taiwan Semiconductor) - RS1BL RVG Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin TSC (Taiwan Semiconductor) - RS1BL RVG
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | Taiwan Semiconductor | |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 1.3V @ 800mA | |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Toimittaja Device Package | Sub SMA | |
| Nopeus | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| Sarja | - | |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 150ns | |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | |
| Pakkaus / Case | DO-219AB | |
| Muut nimet | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C | |
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan toimitusaika | 25 Weeks | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| diodi Tyyppi | Standard | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA | |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 5µA @ 100V | |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 800mA | |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin TSC (Taiwan Semiconductor) RS1BL RVG.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | RS1BL RVG | RS1D-E3/5AT | RS1B-13-F | RS1A-E3/61T |
| Valmistaja | TSC (Taiwan Semiconductor) | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 5µA @ 100V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 50 V |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | 200 V | 100 V | 50 V |
| diodi Tyyppi | Standard | - | - | - |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Toimittaja Device Package | Sub SMA | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 1.3V @ 800mA | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Muut nimet | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
- | - | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 150ns | 150 ns | 150 ns | 150 ns |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Nopeus | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Valmistajan toimitusaika | 25 Weeks | - | - | - |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 800mA | 1A | 1A | 1A |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| Sarja | - | - | - | - |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| Pakkaus / Case | DO-219AB | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
Lataa RS1BL RVG PDF -lehdet ja TSC (Taiwan Semiconductor) -dokumentaatio RS1BL RVG - TSC (Taiwan Semiconductor): lle.
RS1A48D25Carlo Gavazzi Inc.SSR RELAY SPST-NO 25A 42-530V
RS1D R2Taiwan SemiconductorRS1D-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS1B-E3Electro-Films (EFI) / VishayRS1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMARS1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACRS1D-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS16W20180-SRS1D-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMARS1DB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
RS1B-FDiodes IncorporatedRS1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMARS1DB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMBRS1BB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMBRS1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACRS1D-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACRS1D/11TElectro-Films (EFI) / VishayRS1D R2GTaiwan Semiconductor| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.