HS3J V6G -teknologiavaatimukset
TSC (Taiwan Semiconductor) - HS3J V6G Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin TSC (Taiwan Semiconductor) - HS3J V6G
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | Taiwan Semiconductor | |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Toimittaja Device Package | DO-214AB (SMC) | |
| Nopeus | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| Sarja | - | |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 75ns | |
| Pakkaus / Case | DO-214AB, SMC | |
| Muut nimet | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
|
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan toimitusaika | 8 Weeks | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| diodi Tyyppi | Standard | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 10µA @ 600V | |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 3A | |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin TSC (Taiwan Semiconductor) HS3J V6G.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | HS3J V6G | HS3M R7 | HS3M R6 | HS353141M |
| Valmistaja | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | INC-TECH |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 10µA @ 600V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | - |
| Pakkaus / Case | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | - |
| Toimittaja Device Package | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | - |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Muut nimet | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
- | - | - |
| Nopeus | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 3A | 3A | 3A | - |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | - |
| Sarja | - | - | - | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 75ns | 75 ns | 75 ns | - |
| diodi Tyyppi | Standard | - | - | - |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | 1000 V | 1000 V | - |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Valmistajan toimitusaika | 8 Weeks | - | - | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | - | - | - |
Lataa HS3J V6G PDF -lehdet ja TSC (Taiwan Semiconductor) -dokumentaatio HS3J V6G - TSC (Taiwan Semiconductor): lle.
HS353141MINC-TECHHS353106LGHS3M R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABHS3GB R5Taiwan SemiconductorHS353149HYNIXHS353135NZDINEYARDHS369DHSHS3KB R5Taiwan SemiconductorHS3DB R5Taiwan Semiconductor
HS353125BLUMILEDS
HS3MB-13-FDiodes IncorporatedHS3FB R5Taiwan Semiconductor
HS35D25TTElectro-Films (EFI) / VishayHS3700-HKHISENSEHS3J T/RTaiwan SemiconductorHS3M R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABHS369EHSHS354134IVNET| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.