GP1M003A090PH -teknologiavaatimukset
Global Power Technologies Group - GP1M003A090PH Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin Global Power Technologies Group - GP1M003A090PH
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | SemiQ | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Toimittaja Device Package | I-PAK | |
| Sarja | - | |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V | |
| Tehonkulutus (Max) | 94W (Tc) | |
| Pakkaus | Tube | |
| Pakkaus / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Muut nimet | 1560-1158-1 1560-1158-1-ND 1560-1158-5 |
|
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Asennustyyppi | Through Hole | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | |
| FET tyyppi | N-Channel | |
| FET Ominaisuus | - | |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 900V | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| MääRITE | KUVAUS |
|---|---|
| RoHs-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | |
| Saavuttaa tila | |
| ECCN | |
| HTSUS |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin Global Power Technologies Group GP1M003A090PH.
| Tuoteominaisuus |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | GP1M003A090PH | GP1M008A025PG | GP1M018A020PG | GP1S092HCPI6 |
| Valmistaja | Global Power Technologies Group | Global Power Technologies Group | Global Power Technologies Group | Sharp Microelectronics |
| Muut nimet | 1560-1158-1 1560-1158-1-ND 1560-1158-5 |
1560-1166-1 1560-1166-1-ND 1560-1166-5 |
1560-1190-1 1560-1190-1-ND 1560-1190-5 |
- |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V | 600 mOhm @ 4A, 10V | 170 mOhm @ 9A, 10V | - |
| FET tyyppi | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V | 423pF @ 25V | 950pF @ 25V | - |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Toimittaja Device Package | I-PAK | I-PAK | I-PAK | - |
| Sarja | - | - | - | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 900V | 250V | 200V | - |
| Vgs (Max) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | 8.4nC @ 10V | 18nC @ 10V | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) | 8A (Tc) | 18A (Tc) | - |
| Pakkaus / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | - |
| Tehonkulutus (Max) | 94W (Tc) | 52W (Tc) | 94W (Tc) | - |
| Pakkaus | Tube | Tube | Tube | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK | N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | - |
| Asennustyyppi | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| FET Ominaisuus | - | - | - | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
Lataa GP1M003A090PH PDF -lehdet ja Global Power Technologies Group -dokumentaatio GP1M003A090PH - Global Power Technologies Group: lle.
GP1S092HCPI6Sharp MicroelectronicsGP1L53VJ000FSharp Microelectronics
GP1S092HCPISharp MicroelectronicsSENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMDGP1FSV31TK0FSharp MicroelectronicsOPTOELECTRONIC COMPONENTGP1M008A025PGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 250V 8A IPAKGP1FSV51TMF6Sharp MicroelectronicsGP1S02Sharp MicroelectronicsGP1FMV31TKSFSharp MicroelectronicsGP1S02YSharp MicroelectronicsGP1FMV31TKOFSharp MicroelectronicsGP1S05Sharp MicroelectronicsGP1FSV51TKVFSharp MicroelectronicsOPTOELECTRONIC COMPONENTGP1S092HCPIFSHARP/Socle TechnologySENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMDGP1M018A020PGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 200V 18A IPAKGP1L52Sharp Microelectronics
GP1S036HEZSharp MicroelectronicsSENSOR TILT 2PHASE 20MA TH
GP1FMV51TK0FSharp MicroelectronicsTRANSMITTER FIBER OPTIC 13.2MBPSGP1L51Sharp Microelectronics| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Ole hyvä ja Lisää CART : een, otamme sinuun heti yhteyttä.