PZM8.2NB2,115 -teknologiavaatimukset
NXP USA Inc. - PZM8.2NB2,115 Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin NXP USA Inc. - PZM8.2NB2,115
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | NXP Semiconductors | |
| Jännite - Isolation | 10 Ohm | |
| Jännite - Breakdown | SMT3; MPAK | |
| Sarja | - | |
| RoHS-tila | Tape & Reel (TR) | |
| Virta - Max | 300mW | |
| Polarisaatio | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Muut nimet | 934046200115 PZM8.2NB2 T/R PZM8.2NB2 T/R-ND |
|
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan osanumero | PZM8.2NB2,115 | |
| Impedanssi (Max) (Zzt) | 8.2V | |
| Laajennettu kuvaus | Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | ±2% | |
| diodikonfiguraatiolla | 700nA @ 5V | |
| Kuvaus | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 1.1V @ 100mA |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin NXP USA Inc. PZM8.2NB2,115.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | PZM8.2NB2,115 | PZM6.8NB2A,115 | PZM8.2NB3 | PZM8.2NB 8.2V |
| Valmistaja | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | LUMILEDS | LUMILEDS |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 1.1V @ 100mA | 1.1V @ 100mA | - | - |
| Polarisaatio | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - |
| Sarja | - | - | - | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C | - | - | - |
| Laajennettu kuvaus | Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | Zener Diode 220mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | - | - |
| Virta - Max | 300mW | 220mW | - | - |
| Jännite - Isolation | 10 Ohm | 15 Ohm | - | - |
| Jännite - Breakdown | SMT3; MPAK | SMT3; MPAK | - | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | ±2% | ±2% | - | - |
| diodikonfiguraatiolla | 700nA @ 5V | 2µA @ 3.5V | - | - |
| Impedanssi (Max) (Zzt) | 8.2V | 6.8V | - | - |
| Kuvaus | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3 | - | - |
| RoHS-tila | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Valmistajan osanumero | PZM8.2NB2,115 | PZM6.8NB2A,115 | - | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - | - |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Muut nimet | 934046200115 PZM8.2NB2 T/R PZM8.2NB2 T/R-ND |
934055620115 PZM6.8NB2A T/R PZM6.8NB2A T/R-ND |
- | - |
Lataa PZM8.2NB2,115 PDF -lehdet ja NXP USA Inc. -dokumentaatio PZM8.2NB2,115 - NXP USA Inc.: lle.
PZM8.2NB3LUMILEDSPZM8.2NB 8.2VLUMILEDSPZM6.8NBLUMILEDSPZM8.2NB2115Freescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM8.2NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NB3(9.1V)Freescale / NXP SemiconductorsPZM6.2NBFreescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NBFreescale / NXP SemiconductorsPZM6.2NB2ANEXPPZM9.1NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB2(7.5V)Freescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB3LUMILEDSPZM5.6NB3LUMILEDSPZM9.1NB2AFreescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NB3Freescale / NXP SemiconductorsPZM6.8NB2A,115NXP USA Inc.DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3PZM9.1NB2/23-9.1VFreescale / NXP Semiconductors| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.