PH8030L,115 -teknologiavaatimukset
NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115 Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | NXP Semiconductors | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Toimittaja Device Package | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Sarja | TrenchMOS™ | |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | |
| Tehonkulutus (Max) | 62.5W (Tc) | |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | |
| Pakkaus / Case | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| Muut nimet | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
|
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | |
| FET tyyppi | N-Channel | |
| FET Ominaisuus | - | |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 30V | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 76.7A (Tc) |
| MääRITE | KUVAUS |
|---|---|
| RoHs-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | |
| Saavuttaa tila | |
| ECCN | |
| HTSUS |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin NXP Semiconductors / Freescale PH8030L,115.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | PH8030L,115 | NDP6030PL | IRFR13N20DPBF | AO4268 |
| Valmistaja | NXP Semiconductors / Freescale | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Toimittaja Device Package | LFPAK56, Power-SO8 | TO-220-3 | D-Pak | 8-SOIC |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | 25mOhm @ 19A, 10V | 235mOhm @ 8A, 10V | 4.8mOhm @ 19A, 10V |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | 1570 pF @ 15 V | 830 pF @ 25 V | 2500 pF @ 30 V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 76.7A (Tc) | 30A (Tc) | 13A (Tc) | 19A (Ta) |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 62.5W (Tc) | 75W (Tc) | 110W (Tc) | 3.1W (Ta) |
| Pakkaus / Case | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
- | - | - |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | ±16V | ±30V | ±20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | - | - | - |
| Sarja | TrenchMOS™ | - | HEXFET® | AlphaSGT™ |
| FET Ominaisuus | - | - | - | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 30V | 30 V | 200 V | 60 V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | 2V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | 36 nC @ 5 V | 38 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
| FET tyyppi | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
PH86P489AKJVLUMILEDS
PH8230EFreescale / NXP SemiconductorsNDP6030PLFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 30A TO220-3IRFR13N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A DPAKAO4268Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOICPH8230E.115Freescale / NXP SemiconductorsPH8030L+115Freescale / NXP SemiconductorsPH8030LLUMILEDSPH8230Freescale / NXP Semiconductors
AON6482Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFNPH86P168APJTLUMILEDS
FDMS7556SonsemiMOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN
STF9N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 7A TO220FP
FDPF18N20FTonsemiMOSFET N-CH 200V 18A TO220F
STD5NM60-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAK
FCD360N65S3R0onsemiMOSFET N-CH 650V 10A DPAK
PH830-S8PREWELLPH868C15FUJI| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Ole hyvä ja Lisää CART : een, otamme sinuun heti yhteyttä.