IRLML5103GTRPBF -teknologiavaatimukset
Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | Infineon Technologies | |
| Jännite - Testi | 75pF @ 25V | |
| Jännite - Breakdown | Micro3™/SOT-23 | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600 mOhm @ 600mA, 10V | |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Sarja | HEXFET® | |
| RoHS-tila | Cut Tape (CT) | |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 760mA (Ta) | |
| Polarisaatio | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Muut nimet | IRLML5103GTRPBFCT | |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan toimitusaika | 10 Weeks | |
| Valmistajan osanumero | IRLML5103GTRPBF | |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5.1nC @ 10V | |
| IGBT Tyyppi | ±20V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 250µA | |
| FET Ominaisuus | P-Channel | |
| Laajennettu kuvaus | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | |
| Valua lähde jännite (Vdss) | - | |
| Kuvaus | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 30V | |
| kapasitanssi Ratio | 540mW (Ta) |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin Infineon Technologies IRLML5103GTRPBF.
| Tuoteominaisuus |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | IRLML5103GTRPBF | IRLML5203GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | IRLML2803TRPBF |
| Valmistaja | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 5 nC @ 10 V |
| RoHS-tila | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | - |
| Jännite - Breakdown | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | - |
| Valmistajan osanumero | IRLML5103GTRPBF | IRLML5203GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | - |
| Sarja | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| Valua lähde jännite (Vdss) | - | - | - | 30 V |
| Valmistajan toimitusaika | 10 Weeks | 13 Weeks | 10 Weeks | - |
| FET Ominaisuus | P-Channel | P-Channel | N-Channel | - |
| Jännite - Testi | 75pF @ 25V | 510pF @ 25V | 85pF @ 25V | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Laajennettu kuvaus | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | - |
| Muut nimet | IRLML5103GTRPBFCT | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
IRLML2803GTRPBFCT | - |
| Polarisaatio | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5.1nC @ 10V | 14nC @ 10V | 5nC @ 10V | 85 pF @ 25 V |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 760mA (Ta) | 3A (Ta) | 1.2A (Ta) | 250mOhm @ 910mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600 mOhm @ 600mA, 10V | 98 mOhm @ 3A, 10V | 250 mOhm @ 910mA, 10V | 1V @ 250µA |
| kapasitanssi Ratio | 540mW (Ta) | 1.25W (Ta) | 540mW (Ta) | - |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 30V | 30V | 30V | 1.2A (Ta) |
| IGBT Tyyppi | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | ±20V |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
| Kuvaus | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | - |
Lataa IRLML5103GTRPBF PDF -lehdet ja Infineon Technologies -dokumentaatio IRLML5103GTRPBF - Infineon Technologies: lle.
IRLML5203GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
IRLML5103SIPUSEMIIRLML5103TRPBF.IRIRLML2803GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3IRLML4202TRPBFIRIRLML2803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23IRLML5103GTRPBF.IR
IRLML2803PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML5203GPBFIRIRLML2803TRPBF MOSIRIRLML5203Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23IRLML5103TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23IRLML5103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 760MA SOT23IRLML5103GPBFIRIRLML5103TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML2803TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23IRLML5103TRPBF-1IRIRLML2803TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.