NVA4153NT1G -teknologiavaatimukset
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - NVA4153NT1G Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin AMI Semiconductor / ON Semiconductor - NVA4153NT1G
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | onsemi | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±6V | |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Toimittaja Device Package | SC-75, SOT-416 | |
| Sarja | - | |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Tehonkulutus (Max) | 300mW (Ta) | |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | |
| Pakkaus / Case | SC-75, SOT-416 | |
| Muut nimet | NVA4153NT1G-ND NVA4153NT1GOSTR |
|
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan toimitusaika | 36 Weeks | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 16V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.82nC @ 4.5V | |
| FET tyyppi | N-Channel | |
| FET Ominaisuus | - | |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20V | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75, SOT-416 | |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 915mA (Ta) |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin AMI Semiconductor / ON Semiconductor NVA4153NT1G.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | NVA4153NT1G | STL160N4F7 | 2N7236U | NVATS4A103PZT4G |
| Valmistaja | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | STMicroelectronics | Microsemi Corporation | onsemi |
| Pakkaus / Case | SC-75, SOT-416 | 8-PowerVDFN | TO-267AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Toimittaja Device Package | SC-75, SOT-416 | PowerFlat™ (5x6) | TO-267AB | ATPAK |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Muut nimet | NVA4153NT1G-ND NVA4153NT1GOSTR |
- | - | - |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.6V @ 1mA |
| Tehonkulutus (Max) | 300mW (Ta) | 111W (Tc) | 4W (Ta), 125W (Tc) | 60W (Tc) |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75, SOT-416 | - | - | - |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 915mA (Ta) | 120A (Tc) | 18A (Tc) | 60A (Ta) |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 16V | 2300 pF @ 25 V | - | 2430 pF @ 10 V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20V | 40 V | 100 V | 30 V |
| FET Ominaisuus | - | - | - | - |
| Valmistajan toimitusaika | 36 Weeks | - | - | - |
| Sarja | - | STripFET™ F7 | - | Automotive, AEC-Q101 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V | 2.5mOhm @ 16A, 10V | 200mOhm @ 11A, 10V | 13mOhm @ 28A, 10V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| FET tyyppi | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.82nC @ 4.5V | 29 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±6V | ±20V | ±20V | ±20V |
Lataa NVA4153NT1G PDF -lehdet ja AMI Semiconductor / ON Semiconductor -dokumentaatio NVA4153NT1G - AMI Semiconductor / ON Semiconductor: lle.
STL160N4F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
NVA4001NT1GONsemi2N7236UMicrosemi CorporationMOSFET P-CH 100V 18A TO267ABNVATS4A103PZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAKNVA7002NT1GAMI Semiconductor/onsemiNTD360N65S3HonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFENVATS5A108PLZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK
STF20NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 20A TO220FPNVATS4A104PZT4GONsemiNVATS5A302PLZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
FDR4420AonsemiMOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8NVATS5A112PLZT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
STD120N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 80A DPAK
IXTA05N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
HUFA76429S3SonsemiMOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
FQP2N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3NVATS5A114PLZT4GonsemiMOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAKNVATS5A113PLZT4GONsemi| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.