Name: onsemi NTH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L080N120SC1

lähetys

Toimitusaika

Varastossa olevat esineet voidaan lähettää 24 tunnin sisällä.Jotkut osat järjestetään toimitukseen 1-2 päivän kuluessa päivämäärästä, jolloin kaikki tavarat saapuvat varastoon.Ja Allelco -laiva tilaa kerran päivässä noin klo 17.00, paitsi sunnuntaina.Kun tavarat on lähetetty, arvioitu toimitusaika riippuu kuljetusmenetelmistä ja toimituskohdista.Seuraavassa taulukossa on logistinen aika joillekin yleisille maille.

Toimituskustannukset

Käytä pikatiliäsi lähetykseen, jos sinulla on sellainen.
Käytä tiliämme lähetykseen.Katso alla olevasta taulukosta likimääräiset maksut.

(Eri aikataulun / maiden / pakettien koon hinta on erilainen.)

Toimitusmenetelmä

Tuki DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF: n globaali yhteinen lähetys.
Muut enemmän lähetystapoja, ota yhteyttä asiakaspäällikköösi.

Yleismaiden logistisen ajan viite
Alue	Maa	Logistinen aika (päivä)
Amerikka	Yhdysvallat	5
Amerikka	Brasilia	7
Eurooppa	Saksa	5
	Yhdistynyt kuningaskunta	4
	Italia	5
Oseania	Australia	6
Oseania	Uusi -Seelanti	5
Aasia	Intia	4
Aasia	Japani	4
Lähi -itä	Israel	6

DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite
Lähetysmaksut (kg)	Viite DHL (USD $)
0,00 kg-1.00 kg	30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria
1,00 kg-2,00 kg	USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD
2,00 kg-3,00 kg	USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria

Huomaa:: Yllä oleva taulukko on tarkoitettu vain viitteeksi.Hallitsemattomille tekijöille voi olla jonkin verran tiedon puolueellisuutta.
Ota yhteyttä, jos sinulla on kysyttävää.

Tuoteominaisuus	Attribuuttiarvo
Valmistaja	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
teknologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Toimittaja Device Package	TO-247-4L
Sarja	-
RDS (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Tehonkulutus (Max)	170W (Tc)
Pakkaus / Case	TO-247-4
Paketti	Tube

Tuoteominaisuus	Attribuuttiarvo
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
FET tyyppi	N-Channel
FET Ominaisuus	-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Valua lähde jännite (Vdss)	1200 V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Perustuotteenumero	NTH4L080

Tuoteominaisuus
Osa numero	NTH4L080N120SC1	NTH4L040N65S3F	NTH4L040N120SC1	NTH5G16P40B473J07TH
Valmistaja	onsemi	onsemi	onsemi	Murata Power Solutions
Toimittaja Device Package	TO-247-4L	TO-247-4L	TO-247-4L	-
Vgs (Max)	+25V, -15V	±30V	+25V, -15V	-
Asennustyyppi	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V	5940 pF @ 400 V	1762 pF @ 800 V	-
Perustuotteenumero	NTH4L080	NTH4L040	NTH4L040	-
Pakkaus / Case	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	-
FET tyyppi	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
teknologia	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	-
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)	65A (Tc)	58A (Tc)	-
Valua lähde jännite (Vdss)	1200 V	650 V	1200 V	-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	20V	10V	20V	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA	5V @ 2.1mA	4.3V @ 10mA	-
FET Ominaisuus	-	-	-	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V	158 nC @ 10 V	106 nC @ 20 V	-
Paketti	Tube	Tube	Tube	-
RDS (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V	40mOhm @ 32.5A, 10V	56mOhm @ 35A, 20V	-
Tehonkulutus (Max)	170W (Tc)	446W (Tc)	319W (Tc)	-
Sarja	-	FRFET®, SuperFET® III	-	-
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-

Katso englanninkielisestä versiosta virallisena versiona.

NTH4L080N120SC1 - onsemi

tekniset tiedot

Osat, joilla on samanlaisia eritelmiä

NTH4L080N120SC1 Datalta PDF

Asiakkaat ovat myös kiinnostuneita

Suositellut tuotteet

lähetys

Toimitusaika

Toimituskustannukset

Toimitusmenetelmä

Maksutuki

Uskollinen toimitusketjun kumppani -

Ota yhteyttä, jos sinulla on kysyttävää.

Sertifikaatit ja jäsenyydet