Samsung laukaisee 12 nm: n tason 32 Gt DDR5 DRAM: n, joka tukee jopa 128 Gt: n muistimoduuleja
WCCFTECH: n mukaan Samsung on ilmoittanut käynnistävänsä maailman ensimmäisen 32 Gt DDR5 -DRAM -ratkaisun, joka perustuu 12 nm: n prosessitekniikkaan, joka voi tukea jopa 128 Gt muistimoduuleja.
Toistaiseksi muistivalmistajat, kuten SK Hynix ja Micron, ovat tarjonneet 24 Gt DDR5 -DRAM: ta, joka voi saavuttaa 96 Gt: n muistiliuoksen, mutta Samsung on lisääntynyt kapasiteetti 33,3% 12 nm: n tasolla.Samanaikaisesti Micron on myös vahvistanut 32 Gt: n DDR5 DRAM: n laukaisun, mutta toistaiseksi vain etenemissuunnitelma on vapautettu.
Samsung ilmoitti aloittavansa 12 nm: n tason 16 Gt DDR5 DRAM -tuotannon tämän vuoden toukokuussa.Uusi 12 nm: n taso 32 Gt DDR5 DRAM on tarkoitus aloittaa massatuotanto tämän vuoden lopussa.
Samsung totesi, että 12 nm: n tason 32 Gt DRAM-liuolla, joka voi saavuttaa jopa 1 Tt DRAM-moduulit, voi vastata suuren kapasiteetin DRAM: n kasvavaan kysyntään tekoälyn aikakaudella.
Samsung kehitti ensimmäisen 64 kb: n DRAM: nsa vuonna 1983 ja on onnistuneesti lisännyt DRAM -kapasiteettiaan 500000 kertaa viimeisen 40 vuoden aikana.
Samsungin uusimmat muistituotteet kehitetään huippuluokan prosesseilla ja tekniikoilla integraatiotiheyden ja suunnittelun optimoinnin parantamiseksi.Heillä on alan korkein yksittäinen dram -sirukapasiteetti ja ne tarjoavat kaksinkertaisen kapasiteetin 16 Gt DDR5 -DRAM: lla samassa pakkauskoossa.
Aikaisemmin DDR5 128 Gt: n DRAM -moduulit, jotka on valmistettu 16 Gt: n DRAM: lla, vaatii piin käyttöä reikä (TSV) -tekniikan avulla.Nyt käyttämällä Samsung 32 Gt: n DRAM: ää voidaan tuottaa 128 Gt: n moduuleja ilman TSV -tekniikan käyttöä, samalla kun vähentäen virrankulutusta noin 10% verrattuna 128 Gt: n moduuleihin käyttämällä 16 Gt: n DRAM: ta.Tämä teknologinen läpimurto tekee tästä tuotteesta yhden parhaista ratkaisuista energiatehokkuustietoisiin yrityksiin, kuten tietokeskuksiin.
Perustuen 12 nm: n tason 32 Gt DDR5-DRAM: n perusteella Samsung aikoo jatkaa suuren kapasiteetin DRAM-tuotesarjan laajentamista vastaamaan tietotekniikan ja IT-teollisuuden nykyisiä ja tulevia tarpeita.Samsung vahvistaa johtamisaseman seuraavan sukupolven DRAM-markkinoilla tarjoamalla 12 nm: n tason 32 Gt DRAM-asiakkaille tietokeskuksissa, tekoälyssä ja seuraavan sukupolven laskentasovelluksissa.
Samsung ilmoitti aloittavansa 12 nm: n tason 16 Gt DDR5 DRAM -tuotannon tämän vuoden toukokuussa.Uusi 12 nm: n taso 32 Gt DDR5 DRAM on tarkoitus aloittaa massatuotanto tämän vuoden lopussa.
Samsung totesi, että 12 nm: n tason 32 Gt DRAM-liuolla, joka voi saavuttaa jopa 1 Tt DRAM-moduulit, voi vastata suuren kapasiteetin DRAM: n kasvavaan kysyntään tekoälyn aikakaudella.
Samsung kehitti ensimmäisen 64 kb: n DRAM: nsa vuonna 1983 ja on onnistuneesti lisännyt DRAM -kapasiteettiaan 500000 kertaa viimeisen 40 vuoden aikana.
Samsungin uusimmat muistituotteet kehitetään huippuluokan prosesseilla ja tekniikoilla integraatiotiheyden ja suunnittelun optimoinnin parantamiseksi.Heillä on alan korkein yksittäinen dram -sirukapasiteetti ja ne tarjoavat kaksinkertaisen kapasiteetin 16 Gt DDR5 -DRAM: lla samassa pakkauskoossa.
Aikaisemmin DDR5 128 Gt: n DRAM -moduulit, jotka on valmistettu 16 Gt: n DRAM: lla, vaatii piin käyttöä reikä (TSV) -tekniikan avulla.Nyt käyttämällä Samsung 32 Gt: n DRAM: ää voidaan tuottaa 128 Gt: n moduuleja ilman TSV -tekniikan käyttöä, samalla kun vähentäen virrankulutusta noin 10% verrattuna 128 Gt: n moduuleihin käyttämällä 16 Gt: n DRAM: ta.Tämä teknologinen läpimurto tekee tästä tuotteesta yhden parhaista ratkaisuista energiatehokkuustietoisiin yrityksiin, kuten tietokeskuksiin.
Perustuen 12 nm: n tason 32 Gt DDR5-DRAM: n perusteella Samsung aikoo jatkaa suuren kapasiteetin DRAM-tuotesarjan laajentamista vastaamaan tietotekniikan ja IT-teollisuuden nykyisiä ja tulevia tarpeita.Samsung vahvistaa johtamisaseman seuraavan sukupolven DRAM-markkinoilla tarjoamalla 12 nm: n tason 32 Gt DRAM-asiakkaille tietokeskuksissa, tekoälyssä ja seuraavan sukupolven laskentasovelluksissa.