30.10.2024 142

STP55NF06 Power MOSFET -opas: Pinout, tekniset tiedot ja vaihtoehdot

Tässä artikkelissa sukeltamme STP55NF06 MOSFET: n, vankan N-kanavaisen MOSFET: n, ominaisuuksiin ja sovelluksiin, jotka on arvostettu sen tehokkuuden ja mukautuvuuden suhteen korkean kysynnän piireissä.Tämä MOSFET tunnetaan vähäisestä vastustuskyvystä ja nopeasta kytkentänopeudesta, ja se on voimavara voimaherkissä järjestelmissä, kuten moottorin ohjaimissa ja virtalähteissä.STP55NF06 on kykenevä käsittelemään 60 V: n viemärilähteen jännitettä ja jatkuvia virroita, jotka ovat enintään 55A, ja se on ihanteellinen tehonsiisillä sovelluksilla, jotka tarjoavat tehokkaan lämmönhallinnan ja luotettavuuden erilaisissa käyttöolosuhteissa.STP55NF06 MOSFET: n monipuolinen suunnittelu mahdollistaa autoteollisuusjärjestelmistä uusiutuvien energialähteiden sovelluksiin parannetun suorituskyvyn, energiatehokkuuden ja parannetun järjestelmän pitkäikäisyyden.

Luettelo

STP55NF06: n ymmärtäminen

Se STP55NF06 on erittäin kykenevä N-kanava MOSFET, joka on huomattava huomattavien virtavirtojen käsittelemiseksi ja nopean kytkentätoimenpiteiden mahdollistamiseksi.Se osoittaa vaikuttavan tehokkuuden alhaisen vastustuksensa vuoksi.Laite aloittaa johtamisen porttijänniteellä 10 V ja saavuttaa maksimitehokkuuden 20 V: n kohdalla sijoittaen sen vahvan ehdokkaana suuritehoisten kuormitusten toimintaan.Sen 4V: n porttikynnys varmistaa, että se toimii hyvin mikrokontrollereiden kanssa, mutta se saavuttaa parhaansa 10 V: llä tukemaan jatkuvaa virtaa 27A: iin saakka.Integroidaksesi sujuvasti mikrokontrollereihin, kuljettajapiirin tai logiikkatason MOSFET: n, kuten 2N7002, osallistuminen on suositeltavaa.Laitteen kiitettävä taajuusvaste tekee siitä sopivan DC-DC-muuntimille.

Sovelluksissa, joissa MOSFET: t, kuten STP55NF06, portin maadoittaminen oikein tarvitaan tahattoman laukaisun välttämiseksi.Koska MOSFET: t aktivoivat ja deaktivoivat jännitteen perusteella, jännitteenhallinnan hallitseminen tulee kiehtovaksi.Voit usein sisällyttää ylimääräisiä suojatoimenpiteitä, kuten zener -diodeja portin jännitteen ja suojan stabiloimiseksi jännitteen nousua vastaan.

Menestyvän mikrokontrollereiden kanssa integrointi vaatii ohjainpiirien strategisen käyttöönoton.Nämä piirit käsittelevät eroja mikrokontrollerin lähtöjännitteen ja MOSFET: n portin vaatimusten välillä.Yleisessä lähestymistavassa käytetään tasoa vaihtava kuljettaja tämän aukon kaventamiseksi, mikä varmistaa komponenttien väliset saumattomat vuorovaikutukset.

Nastakokoonpano

CAD -malli

Symboli

Jalanjälki

3D -malli

Piirteet

Ominaisuus	Eritelmä
MOSFET -tyyppi	N-kanava
Jatkuva tyhjennysvirta (ID)	35a
Pulssivetovirta (ID-huippu)	50a
Valuta lähteen hajoamisjännitteeseen (VDS)	60 V
Tyhjennyslähteen vastus (RDS)	0,018 Ω
Portin kynnysjännite (VGS-TH)	20 V (Max)
Nousuaika	50 ns
Pudota aika	15 ns
Syöttökapasitanssi (CISS)	1300 pf
Lähtökapasitanssi (COSS)	300 pf
Pakettityyppi	TO-220

Sovellukset

Sähköinen ohjaustehostin (EPS)

Nykyaikaisissa ajoneuvojen sähköohjausjärjestelmät parantavat ajamisen sekä tarkkuutta että mukavuutta.STP55NF06 MOSFET: llä on merkittävä rooli virrankäytön ja vasteajan optimoinnissa, mikä edistää näitä parannuksia.Kuljettajat ilmoittavat usein polttoaineen kulutuksen konkreettisesta vähenemisestä, kun EPS -järjestelmät piirtävät valikoivasti tehoa, mikä vaikuttaa merkittävästi ajoneuvojen tehokkuuteen.

Lukonestojarrutusjärjestelmä (ABS)

ABS: n sisällä STP55NF06 tarjoaa nopean ja tehokkaan kytkimen, jota käytetään optimaaliseen jarrutusohjaukseen.Sen korkean lämpötilan kestävyys ja nopea kytkentäominaisuudet ovat erityisen hyödyllisiä hätätilanteissa.Testit osoittavat jatkuvasti parannettua turvallisuutta estämällä pyörän lukitus, mikä vahvistaa sen tehokkuuden.

Pyyhkimen ohjausjärjestelmät

Pyyhkimenohjausjärjestelmissä STP55NF06 on tarkan ja luotettavan toiminnan perustana eri sääolosuhteissa.Sen kyky käsitellä muuttuvia kuormia minimaalisella tehonhäviöllä varmistaa tehokkaan tuulilasin puhdistuksen.Laaja testaus erilaisissa ilmastoissa osoittaa tehokkuuden näkyvyyden ja kuljettajan turvallisuuden parantamisessa.

Ilmastonhallintajärjestelmät

STP55NF06 ohjaa moottoreita ja kompressoreita ilmastonhallintajärjestelmissä poikkeuksellisella tehokkuudella, mikä mahdollistaa ajoneuvojen tarkan lämpötilan hallinnan.Tämä MOSFET: n energiansäästöominaisuudet vähentävät ajoneuvojen kokonaisvirrankulutusta.Käytännölliset sovellukset esittelevät sen roolia mukavuuden ylläpitämisessä pidentäen akun käyttöikää.

Power -oven mekanismit

Power -ovijärjestelmät hyödyntävät STP55NF06: n tasaista suorituskykyä sujuvien ja luotettavien toimintojen varalta.Mosfetin kestävyys toistuvien syklien välillä varmistaa pitkäikäisyyden ja minimoi ylläpidon.Kenttäpalaute korostaa vähemmän epäonnistumisia, mikä johtaa kuluttajien tyytyväisyyteen ja luottamukseen automatisoituihin oviin.

Koepiiri

STP55NF06 - Kytkentäaikojen tutkiminen resistiivisellä kuormalla

STP55NF06 - GATE -varauksen dynamiikan tutkiminen

STP55NF06 MOSFET -sovelluksen hyödyntäminen

STP55NF06 MOSFET -toimii tehokkaasti vaatimattomilla jännitekkeillä, aloittaen operaation noin 4V: n ympäri.Tämä ominaisuus kohdistuu hyvin sovelluksiin, jotka vaativat alhaisempia jännitteitä.Kun se on linkitetty VCC: hen, portti kehottaa johtavuutta;Maadoitus pysäyttää virran.Jos porttijännite laskee alle 4 V: n, johtavuus pysähtyy.Veto-alasvastus, tyypillisesti lähellä 10 kt, varmistaa, että portti pysyy maadoitettuna passiivisena, tukevana luotettavuutta.

Käytännöllisissä sovelluksissa vakaa porttijännitteen hallinta on vaikutusvaltainen suorituskykyyn.Skenaarioissa, jotka vaativat tarkkuutta, palautemekanismien integrointi voi hienosäätää operaatioita, jolloin järjestelmät voivat ylläpitää haluttuja toimintoja vaihtelevien olosuhteiden keskellä.

Piirin toteutus

MOSFET: n kiinni pitämiseksi portti yhdistyy syöttöjännitteeseen.Jos jännite liukuu alle 4 V: n, laite siirtyy ohmiselle alueelle, pysäyttäen johtavuuden.Veto-alasvastus, kuten 10K-vastus, stabiloi piirin pitämällä portti maadoitettuna, kun se ei ole aktiivinen, vähentäen tahattoman aktivoinnin riskiä äkillisistä jännitemuutoksista.

Tekniset eritelmät

Tyyppi	Parametri
Elinkaaren tila	Aktiivinen (viimeksi päivitetty: 8 kuukautta sitten)
Tehtaan läpimenoaika	12 viikkoa
Asentaa	Reiän läpi
Asennustyyppi	Reiän läpi
Paketti / kotelo	TO-220-3
Nastat	3
Paino	4.535924G
Transistorielementtimateriaali	Pii
Virta - jatkuva tyhjennys (ID) @ 25 ℃	50a TC
Ajajännite (enimmäismäärä, min RDS on)	10 V
Elementtien lukumäärä	1
Tehon hajoaminen (max)	110W TC
Sammuta viiveaika	36 ns
Käyttölämpötila	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Pakkaus	Putki
Sarja	StripFet ™ II
JESD-609-koodi	E3
Osien tila	Aktiivinen
Kosteuden herkkyystaso (MSL)	1 (rajoittamaton)
Päätteiden lukumäärä	3
ECCN -koodi	Ear99
Vastus	18MOHM
Terminaalipinta	Matta tina (SN)
Jännite - nimellis tasavirta	60 V
Nykyinen luokitus	50a
Perusosanumero	STP55N
Nastaluku	3
Elementin kokoonpano	Yksittäinen
Käyttötila	Parannustila
Virran hajoaminen	30W
Kytke viiveaika päälle	20 ns
Fet -tyyppi	N-kanava
Transistorisovellus	Vaihtaminen
Rds on (max) @ id, vgs	18m ω @ 27,5a, 10 V
Vgs (th) (max) @ id	4V @ 250μA
Syöttökapasitanssi (ciss) (max) @ vds	1300pf @ 25V
Portimaksu (qg) (max) @ VGS	60NC @ 10V
Nousuaika	50ns
VGS (Max)	± 20 V
Syksyaika (tyypi)	15 ns
Jatkuva tyhjennysvirta (ID)	50a
Kynnysjännite	3V
JEDEC-95-koodi	TO-220AB
Portti lähdejännitteeseen (VGS)	20 V
Tyhjennysvirta-max (ABS) (ID)	55a
Valuta lähteen hajoamisjännitteeseen	60 V
Pulssivetovirta-max (IDM)	200a
Kaksoisjännite	60 V
Nimellinen VGS	3 V
Korkeus	9,15 mm
Pituus	10,4 mm
Leveys	4,6 mm
Saavuttaa SVHC: n	Ei svhc
Säteilykovettuminen	Ei
ROHS -tila	ROHS3 -yhteensopiva
Lyijyvapaa	Lyijyvapaa

Vertailukelpoiset komponentit

Osanumero	Valmistaja	Asentaa	Paketti / kotelo	Jatkuva tyhjennysvirta (Id)	Virta - jatkuva viemäri (Id) @ 25 ° C	Kynnysjännite	Portti lähdejännitteeseen (VGS)	Virran hajoaminen	Virran hajoaminen-max
STP55NF06	Stmicroelectronics	Reiän läpi	TO-220-3	50 a	50a (TC)	3 V	20 V	30 W	110W (TC)
STP65NF06	Stmicroelectronics	Reiän läpi	TO-220-3	60 a	60a (TC)	1 V	15 V	110 W	110W (TC)
STP60NF06L	Stmicroelectronics	Reiän läpi	TO-220-3	55 a	55a (TC)	2 V	25 V	114 W	114W (TC)
STP60NF06	Stmicroelectronics	Reiän läpi	TO-220-3	60 a	60a (TC)	4 V	20 V	110 W	110W (TC)
FDP55N06	Puolijohteessa	-	TO-220-3	-	60a (TC)	-	-	-	110W (TC)

Paketti

Valmistajan yleiskatsaus

STMICROESCONICS johtaa puolijohderatkaisuissa, jotka esittelevät syvää tietoa piikosta ja järjestelmistä.Tämä asiantuntemus työntää heitä eteenpäin etenemään system-on-chip (SOC) -teknologialla, yhdenmukaistaen nykyaikaisen teknologian kehityksen kanssa.Heidän piin pätevyyskäsitys erilaisiin sovelluksiin tarvitaan korkean suorituskyvyn, energiatehokkaita ratkaisuja.Kulutuselektroniikasta teollisuuslaitteisiin nämä ratkaisut ohjaavat kytkettyjen tekniikoiden nopeaa kehitystä ja täydentävät älykkäämpiä, kestäviä innovaatioita.

Stmicroelectronicsilla on merkittävä rooli SOC -tekniikassa integroimalla toiminnot yhdelle sirulle, suorituskyvyn optimointi ja kustannusten leikkaamalla.Tämä vastaa tehokkaan, kompaktin ja monipuolisen elektroniikan kysyntää.Automotive- ja IoT -sektorit esittelevät pääasiassa yrityksen vaikutusta muuntamiseen.Puolijohde -ala kukoistaa säälimätöntä innovaatiota ja sopeutumista.Yritykset, kuten stmicroelectronics, edistävät saumattomia laitteiden yhteentoimivuutta yhteistyön ja integroinnin avulla, sopeutumalla etenemiseen samalla kun varmistetaan luotettavuus ja suorituskyky.Heidän mukautuvat strategiat ja yhteistyöhön perustuva etiikka tarjoavat hienovaraisen mallin teollisuuden parhaista käytännöistä.

Tietotarvikkeet PDF

STP55NF06 Datamentit:

STX55NF06 (-1, FP) .pdf

STP65NF06 Datamentit:

Std65nf06, stp65nf06.pdf

STP60NF06L Datalustat:

STX60NF06L (FP) .pdf

STP60NF06 Datamentit:

Stp60nf06.pdf

FDP55N06 Datamentit:

TO220B03 PKG Piirustus.pdf

Fdp55n06, fdpf55n06.pdf