03.11.2024 156

BFW10 30V N-Channel JFET: n hallitseminen

Elektronisten komponenttien maailmassa BFW10 N-kanava JFET-transistori erottuu monipuolisena laitteena signaalin vahvistamiselle ja kytkemiselle.Tämä transistori on rakennettu vankkaan puolijohdeteknologialle, ja se tarjoaa tehokkaan hallinnan virran virtauksesta portin, lähteen ja tyhjennysliittimien läpi, mikä tekee siitä ihanteellisen sovelluksiin, joissa tarkkuus ja alhainen melu ovat välttämättömiä.Sen ainutlaatuinen muotoilu, joka muistuttaa "hana" elektronivirtausta varten, varmistaa tarkan signaalinkäsittelyn, lisäämään äänen selkeyttä, signaalin modulaatiota ja taajuuden värähtelyä.Audiovahvistuksesta FM- ja TV -vastaanottimiin vaihtelevien sovellusten avulla BFW10: n sopeutumiskyky eri piireissä tekee siitä arvokkaan valinnan sinulle etsimällä luotettavaa suorituskykyä elektronisissa järjestelmissä.

Luettelo

BFW10 N-Channel JFET -katsaus

Puolijohdemateriaalista rakennettu BFW10 on monipuolinen N-kanava JFET-transistori, joka on suunniteltu signaalien ja tehon vahvistamiseen ja kytkemiseen.Se yhdistyy ulkoisiin piireihin vähintään kolmen liittimen kautta ja hallitsee virran virtausta säätämällä jännitettä tai virtaa niiden välillä, vahvistaen tuloa suurempaan ulostuloon.N-kanavan JFET-akselien toiminta säätelee virtavirtausta sähkökentällä.Tässä porttipäätteellä on tärkeä rooli, samanlainen kuin hanan, joka säätelee elektronivirtausta lähteen ja viemärin välillä, mikä mahdollistaa transistorin tehokkaan signaalin monistumisen.

Pinot

BFW10 Suurimia arvioita

Parametri	Symboli	Arvo	Yksikkö
Viemärin jännite	VDS	30	VDC
Tyhjennysjännite	VDG	30	VDC
Käänteinen portin lähteen jännite	VGSR	-30	VDC
Eteenpäin portin virta	IGF	10	madc

Tekniset eritelmät

Tyyppi	Parametri
Pintakori	EI
Käyttölämpötila (enintään)	175 ° C
Saavuttaa vaatimustenmukaisuuskoodi	not_compliant
Napaisuus/kanavatyyppi	N-kanava
Fet -tekniikka	Risteys
Tehon hajoaminen-max (ABS)	0,25 W
ROHS -tila	Ei-ROHS-yhteensopiva

Ominaispiirteet

Ominaisuus	Eritelmä
Tyyppinen nimittäjä	BFW10
Transistorityyppi	Jfet
Ohjauskanavan tyyppi	N-kanava
Suurin tehon hajoaminen (PD)	0,3 W
Suurin viemäri-lähdejännite (VDS)	30 V
Suurin portin lähteen jännite (VGS)	30 V
Suurin tyhjennysvirta (ID)	0,01 a
Suurin liitoksen lämpötila (TJ)	150 ° C
Suurin viemärilähde valtiossa oleva vastus (RDS)	500 ohmia
Paketti	To-72

Sovellukset

BFW10 toimii erittäin mukautuvana jännitemuuttuvuuteen.Sitä käytetään op-vahvistimissa vahvistus- ja taajuusvasteen säätämiseksi varmistaen halutun lähdön.Ääniohjaimissa se virittää äänilähtön tarkasti muokkaamalla taajuustasoja parantamalla äänen selkeyttä ja tasapainoa.Kun BFW10 on sisällytetty logiikkapiireihin, se on avain signaalireittien ja jännitteiden hallinnassa, mikä vaikuttaa piirin päätöksentekoon dynamiikkaan.

FM- ja TV -vastaanotinjärjestelmissä BFW10: llä on aktiivinen rooli sekoittimissa.Se sekoittaa signaaleja eri taajuuksien välillä helpottaen sileää demodulaatiota ja parantavan signaalin selkeyttä.Tämä komponentti on tärkeä tekijä häiriöiden vähentämisessä, usein signaalinkäsittelyn esteessä.Voit usein luottaa sen tarkkuudesta selkeän siirron säilyttämiseksi, mikä osoittaa laajan ymmärtämisen elektronisten komponenttien vuorovaikutuksista.

Piirikaaviot

Ekvivalentit

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• SSM5N03FE

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10kls

Olla BS170

• BFW11

• CS3N20ath

• FHP3205

Olla FS10KM-12

• FS10KM-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

JFET -transistorien käyttö

JFETS: llä tai "risteyskenttävaikutustransistoreilla" on tärkeä rooli elektronisissa piireissä, jotka on arvostettu niiden erityisten ominaisuuksien suhteen.Toisin kuin MOSFETS, JFETS ei sisällä portioksidia, mikä johtaa korkeampaan porttivirtaan.Tämä ominaisuus tarjoaa tarkat edut tietyissä tilanteissa, erityisesti silloin, kun tarvitaan hienovaraisia ​​suorituskykyä.JFETS: n suunnittelu on räätälöity tehtäviin, jotka korostavat matala-kohinaa.Niiden rakenne, jolla ei ole portioksidia, helpottaa erityisiä etuja, nostaen niitä hiljaista käyttöä vaativilla alueilla.

Matala-kohinan vahvistus

Ympäristöissä, joissa herkkyys on suorituskyvyn keskipiste, JFETS paistaa vähentämällä 1/f -kohinaa, haaste, joka on usein läsnä matalalla taajuuksilla.Niiden soveltuvuus tarkkuusinstrumentteihin ja analogisen signaalinkäsittelyyn on hyvin tunnistettu.Voit usein valita JFET: t poikkeuksellisen melun käsittelemiseksi äänitarvikkeissa ja tarkkoissa mittaustyökaluissa.

Toimivat suurina vastusina

Edellytystilassa toimivat JFET: t toimivat merkittävinä vastuksina, jotka ovat analogisia heidän MOSFET -kollegojensa kanssa.Niiden rooli sellaisissa sovelluksissa, kuten analogiset kytkimet, jotka vaativat vakaa vastus, tunnustetaan.Tämä ominaisuus löytää käytännöllisen ekspression jännitekontrolloiduissa vastuksissa, mikä parantaa malleja vaimentimissa ja sekoittimissa.

Mitat

Valmistaja

Texas Instrumentsilla, jonka pääkonttori sijaitsee Dallasissa, Texasissa, on avainasemassa puolijohde- ja integroidussa piiriteollisuudessa.Teknologiseen innovaatioon juurtuneet tiukasti he johtavat jatkuvasti kehitystä muuttaen vuorovaikutustamme elektronisten laitteiden kanssa.Niiden laaja globaali läsnäolo tarjoaa monipuolisen valikoiman komponentteja, jotka löytävät hyödyllisyyttä monissa sovelluksissa.

Teksas -instrumenttien huomattava tarjous on BFW10, joka kuvaa heidän omistautumistaan ​​laadun ja luotettavuuden toimittamiseen.Niiden monipuolinen tuotelinja osoittaa soveltuvuutta monimutkaisten vaatimusten vastaamiseen eri aloilla, kuten kulutuselektroniikassa ja autojärjestelmissä.Tämä tuotteen kehitys korostaa teknisen kehityksen lisäksi myös parantuneen suorituskyvyn ja tehokkuuden konkreettisia etuja.