2N7000 vs. BS170: Kahden suositun N-kanavan MOSFET: n vertaaminen

Transistoreilla on tärkeä rooli elektronisissa laitteissa, ja niitä käytetään laajasti analogisten ja digitaalisten piirien suunnittelussa.Tällä hetkellä bipolaarisia transistoreita ja liitoskenttävaikutustransistoreita on käytetty laajasti, mutta yleisimmin käytetty on metallioksidi-puolijohde-kenttävaikutteiset transistori (MOSFET).Tässä artikkelissa verrataan 2N7000 ja BS170N monilla näkökohdilla tutkiakseen niiden eroja ominaisuuksissa, parametreissa ja käyttötarkoituksissa.

MOS-kenttävaikutteisia transistoreja kutsutaan myös metallioksidi puolijohdekenttätransistoreiksi (MOSFET).Siinä on yleensä ehtymistyyppi ja parannettu tyyppi.Parannetut MOS-kenttävaikutustransistorit voidaan jakaa NPN-tyyppiin ja PNP-tyyppiin.NPN-tyyppiä kutsutaan yleensä N-kanavatyypiksi, ja PNP-tyyppiä kutsutaan myös P-kanavatyypiksi.N-kanavaisen kenttävaikutteisten transistorien kohdalla lähde ja viemäri on kytketty N-tyypin puolijohteeseen.Samoin P-kanavan kenttävaikutustransistorille lähde ja viemäri on kytketty P-tyypin puolijohteeseen.

2N7000 on N-kanava MOSFET TO-92-paketissa.Toisin kuin BJT-transistori, joka on virranohjattu laite, MOSFET on laite, jota ohjataan levittämällä jännite porttiinsa.Yksi MOSFET -tekniikan pääominaisuuksista on, että transistori vaatii hyvin vähän tai ei lainkaan syöttövirtaa kuorman hallitsemiseksi, mikä tekee MOSFET: istä ihanteellisen käytettäväksi vahvistimina.Sitä voidaan käyttää useimmissa tilanteissa, jotka vaativat 400 ma DC: tä ja voi tarjota 2 ampeeria pulssivirtaa.Samaan aikaan se soveltuu myös matalajännitteeseen ja matalavirran kenttiin, kuten pieneen servomoottorin ohjaukseen, MOSFET -portin ohjaimiin ja muihin kytkimiin.

• BS170

Olla 2N7002

Olla 2N7000G

• 2N7000-D74Z

Olla 2n7000rlrag

Olla IRF3205

BS170 on N-kanavan parannustila MOSFET, joka pystyy vaihtamaan 60V.Sen enimmäismääräinen tyhjennysvirta on 500 mA (jatkuva) ja 1200 mA (pulssi), viemärilähteen vastus 1,2 ohmia ja enimmäisvoiman hajoamisluokitus 830 milliwattia.Samankaltaisten ominaisuuksiensa vuoksi BS170: tä käytetään usein 2N7000: n korvaamiseen.Sen portin kynnysjännite on nimellisarvo 3 V (VDS = VGS, ID = 1MA), mikä tekee BS170: stä logiikkatason MOSFET: n, joka sopii digitaaliseen signaalinkäsittelyyn ja hallintaan.

Olla BS170G

Olla BS170RLRAG

Olla 2N7002LT3G

• 2N7002

• 2SK423

Yllä olevasta taulukosta voimme nähdä, että näiden kahden parametrit ovat hyvin samankaltaisia, mutta tehon hajoamisessa, jatkuvassa tyhjennysvirrassa ja lämpöominaisuuksissa on eroja.Koska 2N7000 soveltuu pienitehoisiin sovelluksiin ja sillä on alhaisemmat virran ja jännitteet, sen staattinen virrankulutus on pienempi.Koska BS170 tukee suurempaa virtaa ja jännitettä, sillä on suurempi virrankulutus joissakin näkökohdissa.

Lisäksi 2N7000: n enimmäismääräinen viemärilähdevirta on 350 mA, mutta ei ole selvästi ilmoitettu, onko virta jatkuvassa tilassa vai pulssitilassa.Samaan aikaan BS170: llä on enimmäisviemärivirta 500 mA (jatkuva) ja 1200 mA (pulssi).Siksi BS170: n maksimaalinen virta on korkeampi kuin 2N7000.Tämä tarkoittaa myös, että samoissa työolosuhteissa BS170 voi olla sopivampi käytettäväksi tietyissä piireissä kuin 2N7000.

• karu ja luotettava

• Tämä laite on PB-vapaa ja halogeenivapaa

• Jännitteenohjattu pieni signaalikytkin

• Korkea kylläisyysvirtaominaisuus

• Suuri tiheys solujen suunnittelu matalalle RDS: lle (ON)

• Toimii alhaisella jännitteellä ja virralla, ja siinä on alhainen tasavirtaimpedanssi, jolloin sitä voidaan käyttää kytkimenä

• Matalalla impedanssilla ja vähäisellä virrankulutuksella sitä voidaan käyttää monissa elektronisissa piirijärjestelmissä

• karu ja luotettava

• Nämä ovat PB-vapaita laitteita

• Jännitteenohjattu pieni signaalikytkin

• Korkea kylläisyysvirtaominaisuus

• Suuri tiheys solujen suunnittelu matalalle RDS: lle (ON)

• Viemäri-lähteen ja vastus on 1,2 ohmia (TYP)

• Suurin nimellisvirran hajoaminen on 830 milliwattia

Samoin kuin mikä tahansa muu MOSFET, 2N7000 -nastakokoonpanossa on kolme nastaa, nimittäin lähde, portti ja valu vasemmalta oikealle (litteä puoli, johdot osoittavat alaspäin), kuten seuraavassa kuvassa esitetään:

Portti (G): 2N7000: n portti on kenttävaikutteisen transistorin ohjauspää, joka on yleensä kytketty piirin ohjaussignaaliin, kuten mikrokontrolleriin, siruun, anturiin jne.

Valua (D): 2N7000: n tyhjennys on kenttävaikutteisen transistorin lähtöpää, joka yleensä kytketään ohjattuihin piireihin, kuten LEDiin, moottoreihin, releisiin jne.

Lähde (t): 2N7000: n lähde on kenttävaikutustransistorin tulo, joka on yleensä kytketty piirin GND: hen.

On syytä huomata, että OnSemi julkaisi viimeisimmän 2N7000: n tammikuussa 2022. Niistä viemärin ja lähdetappien sijainnit on vaihdettu, ja todellinen PIN -konfiguraatio on sama kuin yllä olevassa kuvassa, missä nasta 1 onLähde ja nasta 3 on viemäri.

BS170: n PIN -konfiguraatio sisältää kolme nasta, jotka ovat viemäriä, porttia ja lähdettä vasemmalta oikealle (litteä puoli, lyijy alaspäin).

On syytä huomata, että Onsemi julkaisi uuden version BS170: stä joulukuussa 2021, jolla on erilainen PIN -asettelu kuin muiden valmistajien mallit.Tässä uudessa versiossa portti- ja lähdeppien sijainnit on vaihdettu.Seuraava on vertailu BS170: n alkuperäisten ja uusien PIN -kokoonpanojen välillä.

Portti (G): Hallitse MOSFET: tä kytkeäksesi sen päälle ja pois päältä

Valua (D): Virta virtaa viemärin läpi, yleensä kytketty kuormaan (P-kanava)

Lähde (t): Virta virtaa transistorista emitterin läpi, yleensä maadoitettu (P-kanava)

• Äänenvahvistus

• IC -lähtö

• Erilainen signaalin monistus

• Mikrokontrollerin lähtö

• Audio -esivahvistin

• LED -vilkkua ja himmeämpiä

• Mosfet -portin ohjaimen voimana

• Hallitse pieniä servomoottoreita

• Pienen virran kytkentäsovellukset: pienet valot, moottorit ja releet

• Kuormitukset alle 500 mA (jatkuva) ja 1200 mA (pulssi)

Molemmat tulevat 92-paketteihin.Tämä pakettimuoto on suhteellisen yleinen, ja sillä on pienen koon, helpon kokoonpanon edut ja sopivat moniin sovellusskenaarioihin.TO-92 on kompakti puolijohdekomponenttipaketti, joka on pääasiassa epoksihartsin ja muovimateriaalien seoksesta.Kompaktisuutensa ja käytettyjen materiaalien takia laitteen lämmönkestävyys on vielä parempi.

BS170 on N-kanavan parannusmoodin kenttätransistori tuotetaan käyttämällä korkeaa solutiheyttä, DMOS-tekniikkaa.Tämä erittäin tiheysprosessi on suunniteltu minimoimaan tilaa koskeva vastus, samalla kun se tarjoaa kestävän, luotettavan ja nopean vaihtamisen suorituskyvyn.

Sitä voidaan käyttää useimmissa sovelluksissa, jotka vaativat jopa 400 mA: n tasavirtaa ja se voi toimittaa pulssivirran jopa 2A: een.Se soveltuu myös matalajännitteeseen, pienvirtasovelluksiin, kuten pienen servomoottorin ohjaukseen, MOSFET -portin ohjaimiin ja muihin kytkentäsovelluksiin.

BS170: tä voidaan käyttää kytkentäpiireissä virran virtauksen ohjaamiseksi elektronisissa laitteissa.Sen pieni koko, korkea kytkentänopeus ja alhainen vastustuskyky tekevät siitä sopivan tehokkaisiin kytkentäsovelluksiin erilaisissa elektronisissa piireissä.

2N7000 voi vaihtaa 200 mA.BS170 voi vaihtaa 500 mA: n, enimmäisresistenssi 5 Ω 10 V: n VG: llä.

TO-92-koteloon pakattu sekä 2N7000 että BS170 ovat 60 V-laitteita.2N7000 voi vaihtaa 200 mA.BS170 voi vaihtaa 500 mA: n, enimmäisresistenssi 5 Ω 10 V: n VG: llä.2N7002 on osa, jolla on samanlaiset (mutta ei identtiset) sähköiset ominaisuudet kuin 2N7000, mutta erilainen paketti.